SUP50010E-GE3 - MOSFET N-CHAN 60-V TO-220

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 60-V TO-220
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SUP50010E-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SUP50010E-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 60-V TO-220
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 212nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10895pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SUP50010E-GE3

Datenblätter : SUP50010E-GE3.pdf

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