AS4C16M16SA-6BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für AS4C16M16SA-6BIN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C16M16SA-6BIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TFBGA
Supplier Device Package : 54-TFBGA (8x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C16M16SA-6BIN
Datenblätter : AS4C16M16SA-6BIN.pdf
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