JANTX1N6628US - DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
24836 Pieces
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Technische Daten für JANTX1N6628US
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
JANTX1N6628US
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/590
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
660V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1.75A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 2A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2µA @ 660V
Kapazität @ Vr, F :
40pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, E
Supplier Device Package :
D-5B
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für JANTX1N6628US
Datenblätter :
JANTX1N6628US.pdf
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