PHB11N06LT,118 - MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
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Technische Daten für PHB11N06LT,118
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PHB11N06LT,118
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 33W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PHB11N06LT,118
Datenblätter : PHB11N06LT,118.pdf
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