SI1416EDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
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MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
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Technische Daten für SI1416EDH-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI1416EDH-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-363
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI1416EDH-T1-GE3
Datenblätter : SI1416EDH-T1-GE3.pdf
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