IRF6641TR1PBF - MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IRF6641TR1PBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF6641TR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2290pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MZ
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MZ
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF6641TR1PBF
Datenblätter :
IRF6641TR1PBF.pdf
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