IRF6641TR1PBF - MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Hersteller Teilenummer

IRF6641TR1PBF

Interne Teilenummer

AX-IRF6641TR1PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9253 Pieces

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Technische Daten für IRF6641TR1PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6641TR1PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.6A (Ta), 26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET™ MZ

Paket / fall : DirectFET™ Isometric MZ

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRF6641TR1PBF.pdf

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