IRFS3206PBF - MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Hersteller Teilenummer

IRFS3206PBF

Interne Teilenummer

AX-IRFS3206PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9255 Pieces

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Technische Daten für IRFS3206PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFS3206PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6540pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRFS3

Dokumente für IRFS3206PBF

Datenblätter : IRFS3206PBF.pdf

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WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.