SIA777EDJ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2031480 Pieces
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Technische Daten für SIA777EDJ-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIA777EDJ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V, 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
5W, 7.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIA777EDJ-T1-GE3
Datenblätter :
SIA777EDJ-T1-GE3.pdf
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