SIA777EDJ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
RoHS-Status
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Technische Daten für SIA777EDJ-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIA777EDJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V, 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 5W, 7.8W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIA777EDJ-T1-GE3
Datenblätter : SIA777EDJ-T1-GE3.pdf
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