FDP3652 - MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

FDP3652

Interne Teilenummer

AX-FDP3652

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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229215 Pieces

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Technische Daten für FDP3652

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDP3652

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta), 61A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 61A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2880pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDP3652.pdf

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