SI2312BDS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Hersteller Teilenummer

SI2312BDS-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI2312BDS-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI2312BDS-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI2312BDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 850mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 750mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI231 , SI2312BD

Dokumente für SI2312BDS-T1-GE3

Datenblätter : SI2312BDS-T1-GE3.pdf

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