SQJ204EP-T1_GE3 - MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
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Kurze Beschreibung
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
724955 Pieces
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Technische Daten für SQJ204EP-T1_GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SQJ204EP-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Leistung max :
27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SQJ204EP-T1_GE3
Datenblätter :
SQJ204EP-T1_GE3.pdf
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