RS1JL M2G - DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RS1JL M2G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
11002520 Pieces
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Technische Daten für RS1JL M2G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RS1JL M2G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RS1JL M2G
Datenblätter : RS1JL M2G.pdf
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