BYM11-800HE3_A/I - DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BYM11-800HE3_A/I
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYM11-800HE3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 500ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package : DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYM11-800HE3_A/I
Datenblätter : BYM11-800HE3_A/I.pdf
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