NDBA180N10BT4H - MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Hersteller Teilenummer

NDBA180N10BT4H

Interne Teilenummer

AX-NDBA180N10BT4H

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21808 Pieces

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Technische Daten für NDBA180N10BT4H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NDBA180N10BT4H

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6950pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NDBA , NDBA180

Dokumente für NDBA180N10BT4H

Datenblätter : NDBA180N10BT4H.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.