NDBA180N10BT4H - MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21808 Pieces
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Technische Daten für NDBA180N10BT4H
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NDBA180N10BT4H
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6950pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NDBA180N10BT4H
Datenblätter :
NDBA180N10BT4H.pdf
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