TK4A60D(STA4,Q,M) - MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

Hersteller Teilenummer

TK4A60D(STA4,Q,M)

Interne Teilenummer

AX-TK4A60D(STA4,Q,M)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9744 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0~~

Unser Preis

- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])

AX Semiconductor hat TK4A60D(STA4,Q,M) auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für TK4A60D(STA4,Q,M). Unsere E-Mail: [email protected]

Versandoptionen und Lieferzeit:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Zahlungsmöglichkeiten:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Technische Daten für TK4A60D(STA4,Q,M)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK4A60D(STA4,Q,M)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

Serie : π-MOSVII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220SIS

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TK4A6 , TK4A60D(

Dokumente für TK4A60D(STA4,Q,M)

Datenblätter : TK4A60D(STA4,Q,M).pdf

Verwandte Produkte für TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	Marke	Beschreibung
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.