BAS16HLP-7 - DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BAS16HLP-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BAS16HLP-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 215mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 0402 (1006 Metric)
Supplier Device Package : X1-DFN1006-2
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BAS16HLP-7

Datenblätter : BAS16HLP-7.pdf

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