DMN3035LWN-13 - MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Hersteller Teilenummer

DMN3035LWN-13

Interne Teilenummer

AX-DMN3035LWN-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2618030 Pieces

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Technische Daten für DMN3035LWN-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3035LWN-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 399pF @ 15V

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Supplier Device Package : V-DFN3020-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN3035LWN-13

Datenblätter : DMN3035LWN-13.pdf

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