NDD03N80Z-1G - MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Hersteller Teilenummer

NDD03N80Z-1G

Interne Teilenummer

AX-NDD03N80Z-1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21816 Pieces

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Technische Daten für NDD03N80Z-1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NDD03N80Z-1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 96W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NDD0 , NDD03N

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Datenblätter : NDD03N80Z-1G.pdf

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