TC58BYG0S3HBAI4 - 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
123785 Pieces
Referenzpreis
USD 2.52
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Technische Daten für TC58BYG0S3HBAI4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TC58BYG0S3HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : TC58B , TC58BYG

Dokumente für TC58BYG0S3HBAI4

Datenblätter : TC58BYG0S3HBAI4.pdf

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