TK10A60D(STA4,Q,M) - MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
473760 Pieces
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Technische Daten für TK10A60D(STA4,Q,M)
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TK10A60D(STA4,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Serie :
π-MOSVII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
45W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TK10A60D(STA4,Q,M)
Datenblätter :
TK10A60D(STA4,Q,M).pdf
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