BUK9C1R3-40EJ - MOSFET N-CH 40V D2PAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V D2PAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BUK9C1R3-40EJ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUK9C1R3-40EJ
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 90A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK-7
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BUK9C1R3-40EJ
Datenblätter : BUK9C1R3-40EJ.pdf
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