ATP218-TL-H - MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

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MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
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Technische Daten für ATP218-TL-H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ATP218-TL-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : ATPAK
Paket / fall : ATPAK (2 leads+tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : ATP218-TL-H.pdf

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