IRLML2060TRPBF - MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3927485 Pieces
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Technische Daten für IRLML2060TRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRLML2060TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.67nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
64pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Micro3™/SOT-23
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRLML2060TRPBF
Datenblätter :
IRLML2060TRPBF.pdf
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