DMN2400UFDQ-13 - MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Hersteller Teilenummer

DMN2400UFDQ-13

Interne Teilenummer

AX-DMN2400UFDQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN2400UFDQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2400UFDQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 900mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 37pF @ 16V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 400mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : U-DFN1212-3 (Type C)

Paket / fall : 3-PowerUDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN2400UFDQ-13.pdf

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