2N7002DW L6327 - MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
RoHS-Status
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Technische Daten für 2N7002DW L6327
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2N7002DW L6327
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 25V
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : PG-SOT363-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 2N7002DW L6327
Datenblätter : 2N7002DW L6327.pdf
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