2N7002DW L6327 - MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 2N7002DW L6327
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
2N7002DW L6327
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
20pF @ 25V
Leistung max :
500mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 2N7002DW L6327
Datenblätter :
2N7002DW L6327.pdf
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