IRF7341PBF - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF7341PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRF7341PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7341PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF7341PBF
Datenblätter : IRF7341PBF.pdf
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