LL4006G L0 - DIODE GEN PURP 800V 1A MELF

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 1A MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6114900 Pieces
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USD 0.045882
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Technische Daten für LL4006G L0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : LL4006G L0
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A MELF
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AB, MELF
Supplier Device Package : MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für LL4006G L0

Datenblätter : LL4006G L0.pdf

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