AS4C64M16MD1-6BCN - IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C64M16MD1-6BCN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C64M16MD1-6BCN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße : 1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-FBGA (8x10)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C64M16MD1-6BCN
Datenblätter : AS4C64M16MD1-6BCN.pdf
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