MUN2211JT1G - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

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TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
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Technische Daten für MUN2211JT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MUN2211JT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 230mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SC-59
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für MUN2211JT1G

Datenblätter : MUN2211JT1G.pdf

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