PSMN9R0-30LL,115 - MOSFET N-CH 30V QFN3333

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MOSFET N-CH 30V QFN3333
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Technische Daten für PSMN9R0-30LL,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PSMN9R0-30LL,115
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V QFN3333
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1193pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-VDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für PSMN9R0-30LL,115

Datenblätter : PSMN9R0-30LL,115.pdf

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