IPW65R080CFDAFKSA1 - MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247

Hersteller Teilenummer

IPW65R080CFDAFKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPW65R080CFDAFKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IPW65R080CFDAFKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPW65R080CFDAFKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247

Serie : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 43.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 17.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.76mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4440pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 391W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO247-3

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IPW65R080CFDAFKSA1.pdf

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