STH310N10F7-6 - MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für STH310N10F7-6
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
STH310N10F7-6
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
315W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
H2PAK-6
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für STH310N10F7-6
Datenblätter :
STH310N10F7-6.pdf
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