SQV120N10-3M8_GE3 - MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Hersteller Teilenummer

SQV120N10-3M8_GE3

Interne Teilenummer

AX-SQV120N10-3M8_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SQV120N10-3M8_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQV120N10-3M8_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7230pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SQV120N10-3M8_GE3

Datenblätter : SQV120N10-3M8_GE3.pdf

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