SUP53P06-20-GE3 - MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
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MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
RoHS-Status
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Technische Daten für SUP53P06-20-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SUP53P06-20-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.2A (Ta), 53A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SUP53P06-20-GE3
Datenblätter :
SUP53P06-20-GE3.pdf
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