BSC050N03LSGATMA1 - MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BSC050N03LSGATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSC050N03LSGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSC050N03LSGATMA1
Datenblätter :
BSC050N03LSGATMA1.pdf
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