IPB60R600P6ATMA1 - MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller Teilenummer

IPB60R600P6ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPB60R600P6ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

597375 Pieces

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Technische Daten für IPB60R600P6ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB60R600P6ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH TO263-3

Serie : CoolMOS™ P6

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 557pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IPB60R600P6ATMA1.pdf

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