STW27N60M2-EP - MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STW27N60M2-EP
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STW27N60M2-EP
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Serie : MDmesh™ M2-EP
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 163 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 170W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STW27N60M2-EP
Datenblätter : STW27N60M2-EP.pdf
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