RN1907FE,LF(CT - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RN1907FE,LF(CT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RN1907FE,LF(CT
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 100mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : ES6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RN1907FE,LF(CT
Datenblätter : RN1907FE,LF(CT.pdf
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