FDFC3N108 - MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

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MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
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Technische Daten für FDFC3N108

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDFC3N108
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 355pF @ 10V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SuperSOT™-6
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDFC3N108

Datenblätter : FDFC3N108.pdf

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