AS4C8M16SA-6TAN - IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C8M16SA-6TAN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C8M16SA-6TAN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Serie : Automotive, AEC-Q100
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 54-TSOP II
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C8M16SA-6TAN
Datenblätter : AS4C8M16SA-6TAN.pdf
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