SI3443CDV-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Hersteller Teilenummer

SI3443CDV-T1-E3

Interne Teilenummer

AX-SI3443CDV-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI3443CDV-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI3443CDV-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.97A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 610pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-TSOP

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI344 , SI3443C

Dokumente für SI3443CDV-T1-E3

Datenblätter : SI3443CDV-T1-E3.pdf

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