VS-8EWS10STR-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
956245 Pieces
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Technische Daten für VS-8EWS10STR-M3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
VS-8EWS10STR-M3
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252AA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für VS-8EWS10STR-M3
Datenblätter :
VS-8EWS10STR-M3.pdf
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