DMN2009LSS-13 - MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

DMN2009LSS-13

Interne Teilenummer

AX-DMN2009LSS-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1447245 Pieces

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Technische Daten für DMN2009LSS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2009LSS-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2555pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN200

Dokumente für DMN2009LSS-13

Datenblätter : DMN2009LSS-13.pdf

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