RGT8NS65DGTL - IGBT 650V 8A 65W TO-263S

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IGBT 650V 8A 65W TO-263S
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Technische Daten für RGT8NS65DGTL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RGT8NS65DGTL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 12A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 4A
Leistung max : 65W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 13.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 17ns/69ns
Testbedingung : 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 40ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : LPDS (TO-263S)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RGT8 , RGT8NS

Dokumente für RGT8NS65DGTL

Datenblätter : RGT8NS65DGTL.pdf

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