NTD3808N-35G - MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
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Technische Daten für NTD3808N-35G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTD3808N-35G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 16V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta), 76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1660pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NTD3808N-35G

Datenblätter : NTD3808N-35G.pdf

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