TPN3300ANH,LQ - MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Hersteller Teilenummer

TPN3300ANH,LQ

Interne Teilenummer

AX-TPN3300ANH,LQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPN3300ANH,LQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 27W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TPN3 , TPN330

Dokumente für TPN3300ANH,LQ

Datenblätter : TPN3300ANH,LQ.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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