TPN3300ANH,LQ - MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TPN3300ANH,LQ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TPN3300ANH,LQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TPN3300ANH,LQ
Datenblätter :
TPN3300ANH,LQ.pdf
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