FDFMA3N109 - MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Hersteller Teilenummer

FDFMA3N109

Interne Teilenummer

AX-FDFMA3N109

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDFMA3N109

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDFMA3N109

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-MicroFET (2x2)

Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDFMA3N109.pdf

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