APTMC120AM08CD3AG - MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
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Technische Daten für APTMC120AM08CD3AG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTMC120AM08CD3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 490nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9500pF @ 1000V
Leistung max : 1100W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : D-3 Module
Supplier Device Package : D3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTMC120AM08CD3AG
Datenblätter : APTMC120AM08CD3AG.pdf
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