FDH633605 - MOSFET N-CH DO-35

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MOSFET N-CH DO-35
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Technische Daten für FDH633605

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDH633605
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH DO-35
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : DO-35
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDH633605

Datenblätter : FDH633605.pdf

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