FDA59N30 - MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Hersteller Teilenummer

FDA59N30

Interne Teilenummer

AX-FDA59N30

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

120200 Pieces

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Technische Daten für FDA59N30

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDA59N30

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Serie : UniFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 29.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4670pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3PN

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDA59N30.pdf

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